IPP147N12N3G 56A 120V

IPP147N12N3G, bir N-kanal MOSFET olup, Infineon tarafından üretilmiştir. Yüksek akım taşıma kapasitesi, düşük iletim direnci (R_DS(on)) ve düşük kayıplı çalışma özellikleri sayesinde güç elektroniği uygulamalarında tercih edilir. Bu bileşen, özellikle düşük voltaj ve yüksek akım gerektiren devrelerde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikleri

• Tip: N-kanal MOSFET
• Maksimum Drenaj-Source Voltajı (V_DS): 120V
• Sürekli Drenaj Akımı (I_D): 147A (25°C'de)
• Maksimum Güç Dağılımı (P_D): 300W
• Drenaj-Source Direnci (R_DS(on)): 2.3 mΩ (tipik, V_GS = 10V)
• Gate-Threshold Voltajı (V_GS(th)): 2.0 - 4.0V
• Maksimum Gate-Source Voltajı (V_GS): ±20V
• Paketleme Türü: TO-220, yüksek güç uygulamaları için uygundur.

Avantajları

1. Düşük R_DS(on): Düşük enerji kayıpları ve yüksek verimlilik sağlar.
2. Yüksek Akım Kapasitesi: Büyük yüklerin sürülmesi için uygundur.
3. Hızlı Anahtarlama: Yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılabilir.
4. Dayanıklı Tasarım: Güç elektroniği ve zorlu endüstriyel koşullar için idealdir.

Kullanım Alanları

• DC-DC dönüştürücüler
• Motor sürücü devreleri
• Endüstriyel güç kaynakları
• Elektrikli araç şarj cihazları
• Fotovoltaik enerji sistemleri
• Pil yönetim sistemleri

Tasarım Notları

• Soğutma: Bu MOSFET yüksek güç kapasitesine sahiptir, bu nedenle uygun bir heatsink veya soğutma çözümü gereklidir.
• Gate Sürücü: Hızlı anahtarlama için güçlü bir gate sürücü devresi tasarlanmalıdır.
• Koruma Devreleri: Yüksek akım ve voltaj dalgalanmalarına karşı MOSFET'i korumak için uygun TVS diyotlar veya diğer koruma elemanları kullanılabilir.