IPP65R190CFD 17.5A 650V 151W 0.19OHM N-CH

IPP65R190CFD, bir N-kanal süper-junction MOSFET'tir ve Infineon tarafından üretilmiştir. Bu MOSFET, özellikle yüksek verimlilik ve düşük kayıp gerektiren yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. CoolMOS™ CFD teknolojisi sayesinde düşük iletim kaybı ve hızlı anahtarlama sunar.

Teknik Özellikleri

• Tip: N-kanal süper-junction MOSFET
• Maksimum Drenaj-Source Voltajı (V_DS): 650V
• Sürekli Drenaj Akımı (I_D): 19A (25°C'de)
• Maksimum Güç Dağılımı (P_D): 104W
• Drenaj-Source Direnci (R_DS(on)): 0.19Ω (tipik, V_GS = 10V)
• Gate-Threshold Voltajı (V_GS(th)): 3.0 - 4.0V
• Gate-Source Voltajı (V_GS): ±20V
• Paketleme Türü: TO-220, yüksek güçlü uygulamalar için uygundur.

Avantajları

1. Yüksek Verimlilik: Süper-junction teknolojisi sayesinde düşük iletim kayıpları sağlar.
2. Hızlı Anahtarlama: Düşük geçiş kayıpları, yüksek frekanslı devreler için idealdir.
3. Yüksek Voltaj Dayanımı: 650V kapasite, yüksek voltajlı uygulamalar için uygundur.
4. Soğutma Kolaylığı: TO-220 paketi, uygun bir heatsink ile yüksek güç uygulamalarında kullanılabilir.

Kullanım Alanları

• Yüksek verimli anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS)
• LED aydınlatma sürücüleri
• Fotovoltaik inverterler
• Endüstriyel güç dönüştürücüler
• Ev tipi beyaz eşyalar ve HVAC sistemleri

Tasarım Notları

• Gate sürücü devresi, hızlı anahtarlama için uygun şekilde tasarlanmalıdır.
• Yüksek voltajlı çalışmalarda güvenlik ve izolasyon gerekliliklerine dikkat edilmelidir.
• Termal performansı optimize etmek için uygun bir soğutma çözümü kullanılmalıdır.