IXFH69N30P 69A 300V 500W 0.049OHM N-CH

IXFH69N30P, bir N-kanal MOSFET olup, yüksek akım taşıma kapasitesi, yüksek güç dağılımı ve düşük R_DS(on) özelliği ile dikkat çeker. Bu tür MOSFET'ler genellikle yüksek voltajlı ve güçlü uygulamalar için tercih edilir.

Teknik Özellikleri

• Tip: N-kanal MOSFET
• Maksimum Drenaj-Source Voltajı (V_DS): 300V
• Sürekli Drenaj Akımı (I_D): 69A
• Maksimum Güç Dağılımı (P_D): 500W
• Drenaj-Source Direnci (R_DS(on)): 0.049 Ohm @ V_GS = 10V
• Gate-Threshold Voltajı (V_GS(th)): 2.0 - 4.0V
• Paketleme Türü: TO-264, yüksek güç uygulamaları için uygundur.
• Maksimum Çalışma Frekansı: Düşük ila orta frekans aralıklarında verimli çalışır.

Avantajları

1. Yüksek Akım ve Voltaj Kapasitesi: Büyük yükleri kolaylıkla anahtarlayabilir.
2. Düşük R_DS(on): Enerji kaybını azaltır, verimliliği artırır.
3. Yüksek Güç Dağılımı: Ağır hizmet tipi uygulamalar için uygundur.
4. Sağlamlık: Endüstriyel standartlara uygun olarak dayanıklıdır.

Kullanım Alanları

• Endüstriyel motor sürücüleri
• Yüksek güçlü inverter devreleri
• Enerji dönüşüm sistemleri
• Güç elektroniği ekipmanları
• Yüksek voltajlı anahtarlama uygulamaları