NTD5805NT4G 51A 40V 47W 0.0095Ω N-CH TO-252

NTD5805NT4G, bir N-kanal güç MOSFET'tir ve genellikle düşük voltajlı ve yüksek akımlı uygulamalar için tasarlanmıştır. Bu MOSFET, düşük direnç ve hızlı anahtarlama özellikleri ile öne çıkar, bu da onu verimli güç yönetimi için ideal kılar.

Teknik Özellikleri

• Tip: N-kanal MOSFET
• Maksimum Drenaj-Source Voltajı (V_DS): 30V
• Sürekli Drenaj Akımı (I_D): 33A (25°C'de)
• Maksimum Güç Dağılımı (P_D): 45W
• Gate-Threshold Voltajı (V_GS(th)): 1.4 - 2.0V
• Drenaj-Source Direnci (R_DS(on)):
  • 7.5 mΩ @ V_GS = 10V
  • 11.5 mΩ @ V_GS = 4.5V
• Paketleme Türü: DPAK (TO-252), yüzey montaj uygulamaları için uygundur.

Avantajları

1. Düşük R_DS(on): Düşük enerji kayıpları, özellikle yüksek akım uygulamalarında verimliliği artırır.
2. Hızlı Anahtarlama: Düşük geçiş kayıpları sayesinde yüksek frekanslı devrelerde kullanıma uygundur.
3. Kompakt Paketleme: Küçük boyutlu DPAK, yer tasarrufu sağlar.

Kullanım Alanları

• DC-DC dönüştürücüler
• Pil yönetim sistemleri
• Motor kontrol devreleri
• Elektrikli araç şarj cihazları
• Endüstriyel ekipmanlar
• Yüksek akımlı anahtarlama uygulamaları